产品
产品
制造商
询价
资讯
资讯
关于我们
关于我们
联系我们
联系我们
产品
光电子(117074)
传感器(48132)
连接器(342863)
成电路或离散式半导体(133041)
集成电路（IC）(319702)
制造商
询价
资讯
关于我们
关于我们 >>
联系我们
联系我们 >>
  • image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>IRF241
  • image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>IRF241
： IRF241
： Single MOSFETs Transistors
： International Rectifier
： N-Channel - -
： -
： TO-204AE
： YES

captcha
image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>IRF241
image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>IRF241
：
IRF241
：
Single MOSFETs Transistors
：
International Rectifier
：
N-Channel - -
：
-
：
TO-204AE
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-204AE
Surface Mount NO
Supplier Device Package TO-204AE
Number of Terminals 2
Transistor Element Material SILICON
Mfr International Rectifier
Package Bulk
Product Status Active
Power Dissipation (Max) 125W
RoHS Compliant
Package Shape ROUND
Manufacturer Rochester Electronics LLC
Series HEXFET?
Operating Temperature -
Terminal Position BOTTOM
Terminal Form PIN/PEG
Reach Compliance Code unknown
Pin Count 2
JESD-30 Code O-MBFM-P2
Qualification Status COMMERCIAL
Number of Elements 1
Configuration SINGLE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Vgs (Max) -
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID) 18 A
JEDEC-95 Code TO-204AE
Drain-source On Resistance-Max 0.18 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 72 A
DS Breakdown Voltage-Min 150 V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature -
Drain to Source Resistance 180 mΩ
1.jpg
 原装正品       每颗芯片都来自原厂


2.jpg
       

 主要产品       只生厂材料


3.jpg
        

 现货库存       只生产原材料

4.jpg       

原装库存Bom 单价格实惠


+86-13723477211

sales@fuchaoic.com

点击这里给我发消息
0